2012年版 次世代パワーデバイス&パワエレ関連機器市場の現状と将来展望

2012年版 次世代パワーデバイス&パワエレ関連機器市場の現状と将来展望

~技術革新が進むSiC/GaNデバイスの市場到来が電源回路に革命を起こす~

価格 100,000円+税 企業名 富士経済
発刊日 2012年09月06日 体裁 A4版 327ページ

はじめに

現在、世界全体の電力消費量は約15兆kWhと言われているが、新興国を中心とした人口増加・所得増加は急速に進んでおり、電力を含めたエネルギー全体の需要は日増しに高まっている。
今後先進国にとっての“電力・エネルギーの確保"は、“水資源の確保"と同様に国策として重要なポジションを占め、とりわけ省エネルギーや環境負荷低減に向けた取り組みに強みを持つ日本にとっては、中長期的なビジネスとして有望視される分野である。

これら省エネルギー・環境負荷低減社会を支えるキーデバイスの1つとして注目されているのが“パワー半導体"であり、エコカー、パワーコンディショナなど急拡大する新たなアプリケーションを取り込みながら、その果たすべき役割は年々拡大している。
特にシリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を代表とする次世代パワー半導体などは、サンプル出荷の段階から実用化・量産化に向けて軸足を移しつつある。半導体業界全体の市況が低迷するなか、数少ない成長分野としてパワー半導体分野に資本を集中する動きもある。パワー半導体産業は、デバイスメーカーや基板メーカー、さらには関連部材や関連装置のメーカー等、その裾野は多岐にわたる。また、パワーデバイスを使う側であるパワーエレクトロニクス機器メーカーも、機器の小型化、軽量化等といった付加価値を見出すものとして、新製品へ搭載する気運が高まっている。今後は低損失、高速性、絶縁破壊電界等の物性がシリコンと比べて優れる次世代パワー半導体の搭載が期待できる。また、この分野では国が補助金等の支給、支援を通じて、研究開発連携の動きが活発化しており、各国の主要産業の一つとして見据えた展開もあり、需要が拡大するのは確実と見られる。

本資料はパワー半導体産業全体の市場トレンドを把握する目的として「パワーデバイス編」、「パワーデバイス構成部材編」、「パワーデバイス製造装置編」、「パワーエレクトロニクス機器市場編」の4つのパートからなり、業界構造を俯瞰的に分析、活用できるように配慮した構成となっている。特にパワーデバイス市場予測においては、各アプリケーションの市場増減や次世代パワー半導体の採用時期などを考慮した緻密な分析を行っている。構成部材・製造装置分野においても、タイプ別に細分化し、より実践的に活用できるデータに仕上げている。

末筆ながら、今回の資料作成にあたり、多忙な時期にご協力を賜りました関連企業、団体各位に厚くお礼を申し上げるとともに、パワーデバイス関連産業の継続的な発展と豊かな省エネ社会の実現を願いつつ、それらの一助として当資料を活用して頂ければ、幸いである。

2012年9月
株式会社 富士経済
大阪マーケティング本部 第一事業部

調査のポイント

  • 地球温暖化対策・環境保護意識が高まっており、エネルギーの高度利用(省エネ・高効率化)につながるパワエレ関連機器の動きが注目されている。こうした観点からパワエレ関連機器を構成する各種部材と製造装置に注目する。
  • 従来パワー半導体デバイスの限界性能を打ち破る次世代パワー半導体デバイスの開発・市場動向に注目する。
  • パワー半導体デバイスの構成部材の市場動向に注目する。
  • パワー半導体デバイスの製造装置の市場動向に着目する。
  • 幅広いアプリケーション分野を対象にパワー半導体デバイスの搭載状況と技術動向、将来生産見通しを集計する。

調査対象品目

パワーデバイス
1.整流ダイオード
2.SBD(ショットキー・バリア・ダイオード)
3.FRD(ファースト・リカバリー・ダイオード)
4.バイポーラパワートランジスタ
5.低耐圧パワーMOSFET
6.高耐圧パワーMOSFET
7.IGBTディスクリート
8.サイリスタ・トライアック
9.IGBTモジュール
10.インテリジェントパワーモジュール
11.パワーIC
12.SiC-SBD
13.SiC-FET
14.GaN系パワーデバイス
15.ダイヤモンド系パワーデバイス
16.酸化ガリウム系パワーデバイス
パワーデバイス構成部材
1.SiCウェーハ
2.GaNウェーハ
3.素子接合材
4.リードフレーム用条材
5.ボンディングワイヤ
6.封止材料
7.絶縁基板
パワーデバイス製造装置
1.エピ膜成長装置
2.GaN向けMOCVD
3.プラズマCVD
4.ドライエッチング装置
5.イオン注入装置
6.熱処理装置
7.アニール装置
8.ウェーハ表面検査装置
9.バックグラインダ
10.ダイシング装置
11.チップ外観検査装置
12.ダイボンダ
13.ワイヤボンダ
14.電気テスタ装置
パワーエレクトロニクス機器市場
1.冷蔵庫
2.洗濯機
3.ルームエアコン
4.IHクッキングヒータ
5.炊飯器
6.電子レンジ
7.蛍光灯器具
8.スマートフォン
9.ノートPC
10.タブレット端末
11.液晶テレビ
12.プラズマテレビ
13.サーバ
14.無線基地局
15.UPS(小容量)
16.UPS(中・大容量)
17.HEV駆動用インバータ
18.PHEV駆動用インバータ
19.EV駆動用インバータ
20.FCV駆動用インバータ
21.エコカー用DC-DCコンバータ
22.電動パワーステアリング
23.アイドリングストップシステム
24.急速充電スタンド
25.普通充電スタンド
26.鉄道車両
27.太陽光発電用パワーコンディショナ
28.風力発電用パワーコンディショナ
29.燃料電池用パワーコンディショナ(家庭用)
30.汎用インバータ
31.ACサーボドライバ
32.エレベータ
33.クレーン

調査方法

弊社専門調査員による対象企業及び関連企業、業界団体等への面接取材を基本とした情報収集と電話ヒアリングをベースとする。


調査期間

2012年5月~2012年8月

目次

I. 市場総括分析編

  • 1. パワーデバイス関連市場の現状と将来俯瞰図 (1)
  • 1-1) 全体俯瞰 (1)
  • 1-2) セグメント別市場規模推移 (4)
  • 1-3) 品目別市場規模推移 (5)
  • 1-4) パワーデバイス総市場シェアと主要各社のポジショニング (12)
  • 2. エリア別市場規模推移 (13)
  • 2-1) パワーデバイス (13)
  • 2-2) 構成部材 (17)
  • 2-3) 製造装置 (21)
  • 3. パワーデバイスにおけるアプリケーション分野別市場規模推移 (28)
  • 3-1) セグメント別市場規模推移 (28)
  • 3-2) パワーデバイス別市場規模推移 (29)
  • 4. 製品別技術開発トレンド (31)
  • 4-1) パワーデバイス (31)
  • 4-2) 構成部材 (34)
  • 4-3) 製造装置 (36)
  • 5. アプリケーション機器別技術動向一覧 (39)
  • 6. アプリケーション別市場予測とパワーデバイス搭載動向 (43)
  • 6-1) 有望アプリケーションの市場予測 (43)
  • 6-2) アプリケーション別パワーデバイス搭載動向と今後の予測 (44)
  • 7. 次世代パワーデバイス(WBG)・ウェーハの市場動向/普及ロードマップ (46)
  • 7-1) 全体市場規模推移予測 (46)
  • 7-2) 次世代パワーデバイス(WBG)の市場構成比推移予測 (48)
  • 7-3) 次世代パワーデバイス(WBG)とウェーハの単価推移見通しと物性比較 (49)
  • 7-4) アプリケーション別需要規模予測 (50)
  • 7-5) 中長期成長トレンド予測 (52)
  • 7-6) 次世代パワーデバイス(WBG)の普及ロードマップ (53)
  • 8. パワーデバイス構成部材市場トレンド/メーカー動向 (57)
  • 8-1) パワーデバイス構成部材のデバイス別採用動向 (57)
  • 8-2) パワーデバイス構成部材における技術キーワード (58)
  • 8-3) パワーデバイス構成部材市場動向 (59)
  • 9. パワーデバイス製造装置市場トレンド/メーカー動向 (60)
  • 9-1) パワーデバイス製造装置のデバイス別採用動向 (60)
  • 9-2) パワーデバイス製造装置市場動向 (61)
  • 9-3) パワーデバイス製造工程と装置動向 (62)
  • 10. 主要参入メーカーのアライアンス動向 (65)
  • 10-1)次世代パワーデバイス(WBG)の研究開発アライアンス動向 (65)
  • 10-2)次世代パワーデバイス(WBG)で必要とされるアライアンス動向 (66)
  • 11. 製品別メーカーシェア一覧 (67)
  • 11-1) パワーデバイス (67)
  • 11-2) 構成部材 (71)
  • 11-3) 製造装置 (74)
  • 12. 主要参入メーカー/取扱い製品一覧 (80)

II. パワーデバイス編

  • 1. 整流ダイオード (87)
  • 2. SBD(ショットキー・バリア・ダイオード) (93)
  • 3. FRD(ファースト・リカバリー・ダイオード) (99)
  • 4. バイポーラパワートランジスタ (105)
  • 5. 低耐圧パワーMOSFET (111)
  • 6. 高耐圧パワーMOSFET (117)
  • 7. IGBTディスクリート (123)
  • 8. サイリスタ・トライアック (129)
  • 9. IGBTモジュール (135)
  • 10. インテリジェントパワーモジュール (141)
  • 11. パワーIC (147)
  • 12. SiC-SBD (153)
  • 13. SiC-FET (159)
  • 14. GaN系パワーデバイス (165)
  • 15. ダイヤモンド系パワーデバイス (171)
  • 16. 酸化ガリウム系パワーデバイス (173)
【 共通調査項目 】 ※一部の品目で異なることがある。
1. 製品定義・概要
2. 市場規模推移・予測
 (2010年実績~2012年見込~2020年予測、販売ベース)
3. エリア別市場規模(2011年実績~2012年見込、販売金額)
4. メーカー・シェア(2011年実績~2012年見込、販売金額)
5. アプリケーション動向
 (2011年実績、2012年見込~2015年予測、販売金額)
6. 価格動向
7. 技術開発動向
8. 業界アライアンス動向
9. 主要メーカー別生産拠点動向
10. 今後の市場展開予測
11. 主要参入メーカー一覧

III. パワーデバイス構成部材編

  • 1. SiCウェーハ (175)
  • 2. GaNウェーハ (180)
  • 3. 素子接合材 (185)
  • 4. リードフレーム用条材 (194)
  • 5. ボンディングワイヤ (198)
  • 6. 封止材料 (202)
  • 7. 絶縁基板 (210)
【 ウェーハ共通調査項目 】
1. 製品定義・概要
2. 市場規模推移・予測
 (2010年実績~2012年見込~2020年予測、生産ベース)
3. エリア別市場規模(2011年実績~2012年見込、生産金額)
4. メーカー・シェア(2011年実績~2012年見込、生産金額)
5. 価格動向
6. 技術開発動向
7. 業界アライアンス動向
8. 主要メーカー別生産拠点動向
9. 今後の市場展開予測
10. 主要参入メーカー一覧

【 ウェーハ以外共通調査項目 】
1. 製品定義・概要
2. 市場規模推移・予測
 (2010年実績~2012年見込~2020年予測、生産ベース)
3. エリア別市場規模(2011年実績~2012年見込、生産金額)
4. メーカー・シェア(2011年実績~2012年見込、生産金額)
5. 部材搭載動向(金額ベース)
6. 主要製品の概要
7. 技術開発動向
8. 主要メーカー別生産拠点動向
9. 今後の市場展開予測
10. 主要参入メーカー一覧

IV. パワーデバイス製造装置編

  • 1. エピ膜成長装置 (219)
  • 2. GaN向けMOCVD (226)
  • 3. プラズマCVD (230)
  • 4. ドライエッチング装置 (236)
  • 5. イオン注入装置 (243)
  • 6. 熱処理装置 (249)
  • 7. アニール装置 (255)
  • 8.ウェーハ表面検査装置 (262)
  • 9. バックグラインダ (266)
  • 10.ダイシング装置 (270)
  • 11.チップ外観検査装置 (276)
  • 12. ダイボンダ (280)
  • 13. ワイヤボンダ (284)
  • 14. 電気テスタ装置 (289)
【 共通調査項目 】 ※一部の品目で異なることがある。
1. 製品定義・概要
2. 市場規模推移・予測
 (2010年実績~2012年見込~2020年予測、販売ベース)
3. エリア別市場規模(2011年実績~2012年見込、販売金額)
4. メーカー・金額シェア(2011年実績~2012年見込、販売金額)
5. アプリケーション動向(2011年実績、2015年予測、販売金額)
6. 主要製品の概要
7. 技術開発動向
8. 主要メーカー別生産拠点動向
9. 今後の市場展開予測
10. 主要参入メーカー一覧

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