【デジタルプレス】WithAfter COVID-19におけるパワーデバイス市場へのインパクト検証と将来予測

【デジタルプレス】WithAfter COVID-19におけるパワーデバイス市場へのインパクト検証と将来予測

価格 330,000円(税抜 300,000円) 出版社 富士経済
発刊日 2020年8月28日 体裁 PDF 43ページ
備考 こちらの市場調査資料(デジタルプレス)はPDF(CD-ROM納品)でのご提供となります。冊子体でのご提供はございませんので、ご了承ください。

関連書籍
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調査概要

調査テーマ

『With/After COVID-19におけるパワーデバイス市場へのインパクト検証と将来予測』

調査目的

・パワーデバイス市場は、中国や欧州の景気悪化や米中貿易摩擦の影響によって、産業分野向けの需要は停滞傾向にあった。しかし、自動車の電動化の進展、5G通信の本格化など堅調な需要を維持しているアプリケーションもあり、2020年後半以降の市場拡大が見込まれていた。
・そのような状況の中で、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の世界的な流行によって、主要各国で非常事態宣言が発令、経済活動自粛を余儀なくされている。これにより、様々な産業に影響を及ぼしており、パワーデバイス市場についても、当初の予測よりも大きく下回る可能性が出てきている。
・また、主要パワーデバイスメーカーは、後工程拠点などを東南アジアなどに構えているものの、これらのエリアのロックダウン(都市封鎖)によって、完成品、もしくは材料の調達を困難にしており、今後のサプライチェーン動向への影響も懸念される。
・本調査は、2020年2月に刊行した「2020年版次世代パワーデバイス&パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」のアップデート版として、新型コロナウイルス感染症がIGBTモジュールやパワーMOSFETなどの主要パワーデバイス市場にどの程度の影響を及ぼしたかを把握し、「After COVID-19」市場の中長期的な予測を行う。また、主要メーカーの生産拠点・動向への影響、SiCやGaNパワーデバイスなどの動向を把握することを目的とした。

調査対象

調査対象予定品目パワーMOSFET:低耐圧パワーMOSFET / 高耐圧パワーMOSFET
パワーモジュール:IGBTモジュール/ インテリジェントパワーモジュール
次世代パワーデバイス:SiC-SBD / SiC-FET / SiCパワーモジュール/ GaNパワーデバイス/ 酸化ガリウムパワーデバイス
調査対象予定企業三菱電機/ 富士電機/ 日立パワーデバイス/ ルネサスエレクトロニクス/ 東芝デバイス&ストレージ/ サンケン電気/
新電元工業/ ローム/ FLOSFIA / ノベルクリスタルテクノロジー/ Infineon Technologies / ON Semiconductor /
STMicroelectronics / SEMIKRON International / Vishay Intertechnology / Wolfspeed / Transphorm / Efficient Power Conversion など

調査方法

富士経済専門調査員による対象企業への直接ヒアリングを行い、必要に応じて文献情報等による情報収集を行った。

調査期間

2020年7月~2020年8月

調査担当

株式会社富士経済

目次

I.総括分析編

  • 1.主要パワーデバイス市場の現状
  • 1)全体市場(1)
  • 2)デバイス別市場
  • [1]パワーMOSFET(低耐圧・高耐圧)(2)
  • [2]パワーモジュール(IGBTモジュール・インテリジェントパワーモジュール)(2)
  • [3]SiCパワーデバイス(3)
  • [4]GaNパワーデバイス(3)
  • 2.主要パワーデバイスメーカーへの影響と今後の方向性
  • 1)パワーデバイス事業(4)
  • 2)生産活動への影響・方向性(6)
  • 3.エリア別・アプリケーション別市場規模
  • 1)エリア別市場(7)
  • 2)アプリケーション別市場(8)
  • 4.次世代パワーデバイスへの影響と今後の方向性(9)

II.パワーデバイス市場編

  • 1.低耐圧パワーMOSFET(10)
  • 2.高耐圧パワーMOSFET(14)
  • 3.IGBTモジュール(18)
  • 4.インテリジェントパワーモジュール(22)
  • 5.SiC-SBD(26)
  • 6.SiC-FET(30)
  • 7.SiCパワーモジュール(34)
  • 8.GaNパワーデバイス(38)
  • 9.酸化ガリウムパワーデバイス(42)

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