セミナー:5Gおよび自動車電動化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題・将来展望(2020/01/27 (月):神奈川・川崎)

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5Gおよび自動車電動化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題・将来展望

  • SiC/GaNパワーデバイスが広く市場に普及するためのポイントは何か
  • 最新シリコンデバイスの状況からSiC・GaNパワーデバイスの最新技術、さらに最新の実装技術についても解説!
セミナー番号 S200103
講 師 筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
専 門 著書:車載機器におけるパワー半導体の設計と実装(科学情報出版)
Wide bandgap Semiconductor Power Devices(Edited by B.J.Baliga ELSEVIER) Chapter 4 執筆など
会 場 川崎市産業振興会館 9F 第1会議室 【神奈川・川崎】
日 時 2020年01月27日(月) 12:30-16:30
定 員 30名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。
聴講料 【1名の場合】39,600円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。
※2名以上ご要望の場合は、備考欄にその旨お書きくださいませ。
主催 (株)AndTech

講演主旨

省エネ・小型化を目指した各種電源の進化や自動車電動化に伴い、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。本セミナーでは、最新シリコンデバイスの状況からSiC・GaNパワーデバイスの最新技術、さらに、最新の実装技術についても解説する。特にSiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何か、について丁寧に解説したい。

プログラム

【キーワード】
パワーエレクトロニクス、パワー半導体デバイス、シリコン、SiC, GaN、MOSFET、IGBT、低オン抵抗、高速スイッチング、素子破壊耐量

【プログラム】

1.パワーエレクトロニクス、パワー半導体デバイスとは何か?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワー半導体の種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波動作のメリットは
 1-5 なぜシリコンMOSFET・IGBTだけが生き残ったのか
 1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か?

2.最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
 2-1 MOSFET,IGBT開発のポイント
 2-2 MOSFET,IGBT特性向上への挑戦
 2-3 特性改善を支える技術
 2-4 シリコンパワーデバイスの限界
 2-5 最新のシリコンパワーデバイス技術

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 半導体デバイス材料の変遷
 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-3 SiCのSiに対する利点
 3-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
 3-5 SiCウェハができるまで
 3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3-7 なぜSiC-MOSFETが自動車電動化に適しているのか?
 3-8 他の用途への展開の可能性について
 3-9 SiCのデバイスプロセス
 3-10 SiCデバイス信頼性のポイント
 3-11 最新SiCトレンチMOSFET
 3-12 SiC-MOSFET 対 Si-IGBTの競合。勝敗のポイントは?
 
4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
 4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴
 4-4 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4-5 GaN-HEMTの課題
 4-6 Current Collapse現象メカニズム
 4-7 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
 4-8 縦型GaNデバイス(GaN on GaN)の最新動向
 4-9 縦型GaNデバイス 対 縦型SiCデバイスの競合。

5.高温対応実装技術
 5-1 高温動作ができると何がいいのか
 5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

6.まとめ


<確認事項>

  • その他、ご不明な点は備考欄にご記入ください。

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