ダイボンダ(半導体関連装置)の市場動向

マーケット情報TOP
ダイボンダとは、はんだ、金メッキ、樹脂を接合材料として、ダイ(電子回路を作り込んだシリコン基板のチップ)をリードフレーム(LF)や基板等に接着する装置である。ダイと基板を接続するダイボンド材(ペースト、フィルム)にエンプラが使用されており、ダイの位置決めを行いLF等に接着される。現在、樹脂を接合材料としてボンディングを行う方式が主流である。

半導体のダイボンディングでは、半導体チップ(IC、LSI)をLF、セラミックスケース、基板等に固着化させるために、はんだやダイボンド用樹脂ペースト(Agエポキシ及びAgポリイミド)が接着剤として使用されている。

■タイプ別構成比(2002年:世界市場ベース)

接合タイプ 数量ウェイト(%)
エポキシ樹脂接合 82
ソルダ接合 15
共晶接合 3
合 計 100
出所:富士キメラ総研

ダイをLFや基板等に接続する接合方法は、樹脂ボンディング(樹脂系接着剤を利用)、はんだボンディング、共晶ボンディング(金メッキを利用)接合が採用されている。このうち、エポキシが最も多く使用されている。これはESECとNECマシナリーがエポキシ樹脂接合を主体に使用しているためである。

共晶ボンディングは、ヒートブロックで構成される共晶ボンディングステージ上に、金プリフォーム等の共晶ボンディングシートを移載し、このシート上にダイを搭載して接合する方法である。

■新製品開発動向

企業名 新製品名 新製品の概要と特徴
NECマシナリー 300mm対応
ダイボンダ
モデル名
「BESTEM−D02」
12インチウェハー対応のIC、LSI向けの高速・高精度ダイボンダーである。新製品は、超薄型チップのピックアップ、スタック実装を可能にした300mmウェハ対応のエポキシダイボンダ「BESTEM-D02」である。
同モデルは、「セミコンジャパン2004」(2004年12月に開催)の展示会で実機の紹介を行なっている。
新製品は、従来、針でウェハーを突き上げてピックアップしていた方式を、針を使わない手法に変更することで70〜80nmという限界に達しつつあるウェハーの薄型化に対応可能である。
【用途】LSI/MEMORY、IC
【特徴】
ボンデイングシステム:エポキシ樹脂接合/熱圧着(オプション)に対応
ボンディングスピード:高速実装(0.29秒/サイクル)が可能
ウェハーサイズ:最大12インチに対応
装置寸法:1,440 (W)×1,150 (D)×1,620 (H) mm

■ダイボンダの市場規模推移(2002〜2007年:世界市場ベース)

●市場規模推移及び予測 (単位:台、%)
  2002年 2003年
見込
2004年
予測
2005年
予測
2006年
予測
2007年
予測
国内販売数量 206 230 250 270 275 290
前年比 111.7 108.7 108.0 101.9 105.5
海外販売数量 807 830 870 925 960 990
前年比 102.9 104.8 106.3 103.8 103.1
合 計 1,013 1,060 1,120 1,195 1,235 1,280
前年比 104.6 105.7 106.7 103.3 103.6
出所:富士キメラ総研

2002年のダイボンダ市場は、同年後半から半導体産業の需要回復を受けて、1,013台 (前年比 101.6%)、金額では約211億円を記録した。2007年市場は241億円(2002年比1.14倍)と予測している。

テクノロジーの進展に伴い生産性等の性能が向上している反面、装置の販売数量は伸び悩んでくると見ている。販売金額もユーザーからの厳しい値下げ要求により、装置単価は下落すると予測している。

■参入企業とメーカーシェア(2002年:世界市場ベース)

メーカー名 数量ウェイト(%)
ESEC(スイス) 30
ASM Pasific Technology(香港) 22
NECマシナリー 16
日立東京エレクトロニクス 10
Alphasem(スイス) 8
その他 14
合 計 100
出所:富士キメラ総研

ダイボンダ市場はESECが首位をキープしているが、近年、ASM Pacific Technologyの健闘が顕著である。金額ベースではNECマシナリーとASM Pacific Technologyとの差は無くなっている。

国内ではNECマシナリーがトップシェアを築いている。海外企業ではESECが大きなシェアを保っている。他には、日本電産トーソクが国内市場で健闘している。その他としては、新川、PalomarTechnologies(米)等が参入している。

■今後の動向

半導体ウェハー径の大型化に伴い、高いスループット、多品種対応等が求められ、従来の200mm対応のダイボンダ装置を越える製品が開発されている。

今後、求められる技術開発分野は、リード端子に替わるボール状端子のBGA、又はBGAのシュリンク版であるFBGA(Fine-pitch Ball Grid Array)、複数のチップを1チップに集約する3次元実装への対応が研究課題となっている。

参考文献:「2003 エレクトロニクス実装ニューマテリアル便覧」
(2003年5月23日:富士キメラ総研)


戻る